长鑫存储小批量产 HBM3E

据《The Information》援引知情人士消息，长鑫存储已开始小批量生产 HBM3E 高速内存，并计划 2027 年扩大产量。HBM 是置于 AI 芯片旁的高速内存，负责快速输送数据，此前一直是国产 AI 芯片的关键短板。

下游测试已启动

  • 寒武纪、阿里平头哥等国内芯片团队正在测试长鑫 HBM，进展顺利最快明年即可商用

  • HBM3E 为英伟达 H200 和 Blackwell 所用内存，长鑫产品代际仅落后 SK 海力士、三星、美光量产中的 HBM4 一代


量产挑战仍存

小批量生产距成熟量产尚有距离，长鑫 HBM3E 良率偏低，速度和可靠性不及三大厂。SK 海力士 2024 年已量产 HBM3E，三大厂现已进入 HBM4 阶段并送样 HBM4E。

长鑫已跨过"能否造出"门槛，下一关是提升良率与产量。