SK海力士引入EMIB封装技术

8月24日，SK海力士在2026年Hot Chips大会上宣布，将为下一代HBM解决方案引入英特尔EMIB等先进封装技术，并计划最终迈入3D封装时代。

关键技术布局

  • 探索混合键合（Hybrid Bonding）方法，突破16层堆叠限制

  • 增加TSV数量，提高逻辑工艺集成的IO速度

  • 优化电源分配网络（PDN）以解决功耗挑战


SK海力士封装工程副总裁Jaesik Lee在会上发表了题为「高带宽内存的先进封装」的报告，详细阐述了利用先进封装技术加速HBM产品路线图的计划。

截至发文时，SK海力士韩股涨1.71%。