三星拟将NRD-K2线转产2nm HBM基础芯片
8月14日,三星电子正考虑将器兴NRD-K2号线由研发用途转为代工产线,用于扩大2nm产能,生产HBM基础芯片,重点面向英伟达等客户的cHBM与HBM5需求。
关键细节
- 产线定位:采用Send Fab模式,从其他量产线接收晶圆,仅执行特定工艺环节
- 启用时间:预计2028年下半年
- 园区背景:NRD-K为三星投资约20万亿韩元建设的研发园区,共规划3条产线,1号线已于2024年底完工
- 产能调整:该线此前曾考虑用于DRAM量产,现DRAM产能集中至平泽园区
此次转型是三星对AI基建带动HBM需求爆发的提前布局,通过cHBM与HBM5优先采用2nm工艺,保持先进封装性能优势。目前设备采购订单尚未发出,最终用途仍存调整可能。