三星、SK海力士升级在华工厂

10 月 21 日，三星电子与 SK 海力士确认正升级中国工厂，转产更高层数 NAND 闪存，应对长江存储的快速追赶与 AI 存储需求增长。

  • 三星：西安工厂由约 200 层升级至 286 层 V9 NAND，该厂占其全球 NAND 产量约 40%。内部项目代号「Monami」，目标 2026 年 12 月月产 5000 片晶圆，2027 年 12 月提升至 4 万片。

  • SK 海力士：大连工厂由 192 层升级至 240 层以上，已获准在当地生产最高 240 层芯片，并可能申请 300 层以上研发。


竞争与许可约束

Omdia 数据显示，长江存储 2026 年二季度中国 NAND 份额达 38.5%，超过三星的 33.5%，SK 海力士降至 17%。长江存储已少量生产 294 层芯片。

美国 BIS 此前表示不打算批准在华扩产或技术升级申请，两家公司称升级与美国方面保持密切沟通，但未披露许可获批程度。