三星应英伟达要求 采用台积电3nm工艺制造NVHBM裸片
三星电子采用台积电3nm工艺
据韩国媒体报道,三星电子已决定应英伟达要求,采用台积电(TSMC)3nm工艺制造 NVHBM 基础裸片。
关键信息
- 主体:三星电子、英伟达、台积电
- 动作:三星应英伟达要求,选用台积电3nm工艺生产 NVHBM 基础裸片
- 备选方案:三星尚未完全排除使用自有晶圆代工产线
产能验证中
三星正在验证一项可行性:若 NVHBM 需求超出 TSMC 产能,是否可在内部生产基础裸片。目前该方案仍处于评估阶段,尚未定论。
据韩国媒体报道,三星电子已决定应英伟达要求,采用台积电(TSMC)3nm工艺制造 NVHBM 基础裸片。
三星正在验证一项可行性:若 NVHBM 需求超出 TSMC 产能,是否可在内部生产基础裸片。目前该方案仍处于评估阶段,尚未定论。