马斯克：中国扩产能力或超全球总和

10 月 13 日，针对存储芯片股遭抛售，马斯克发文称，中国一旦掌握某种产品的制造技术，其扩产能力往往超过世界其他地区总和，锂电池和太阳能领域已有先例。

内存行业分两层看

  • 通用标准：LP5、LP6 遵循通用标准，中国正迅速攻克，约三年前内存仍是低利润率大宗商品。

  • 高端架构：新一代 HBM 架构、逻辑电路下方设 SRAM 层、上方三维堆叠内存并解决散热等技术，更难突破。


马斯克同时称，SpaceX 是罕见反例，其入轨载荷总质量比世界其他地区总和高约一个数量级；但在 SpaceX 以外的入轨载荷中，中国已占大多数。

长鑫科技进展

长鑫科技宣布在新一代 DRAM 的 4F² 架构研发上取得关键进展，预计年底推出融合该架构与混合键合技术的 DDR5 RDIMM 服务器内存产品。相较主流 6F² 架构，4F² 理论上可使单元面积缩减约三分之一，同制程节点下存储密度提升约 50%，引发市场对未来竞争与供应扩张的担忧。